Производитель Номер продукта:
TSM060N03PQ33 RGG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM060N03PQ33 RGG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Подробное описание:
N-Channel 30 V 62A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)
Инвентаризация:
12195 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12894280
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM060N03PQ33 RGG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1342 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PDFN (3.1x3.1)
Упаковка / Чехол
8-PowerWDFN
Базовый номер продукта
TSM060
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
TSM060N03PQ33RGGCT
TSM060N03PQ33 RGGTR
TSM060N03PQ33RGGDKR
TSM060N03PQ33 RGGTR-DG
TSM060N03PQ33 RGGCT-DG
TSM060N03PQ33 RGGDKR
TSM060N03PQ33RGGTR
TSM060N03PQ33 RGGDKR-DG
TSM060N03PQ33 RGGCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM4N70CP ROG
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
DMN67D7L-13
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3
TSM180N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
